Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
E3M0120090J
900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- E3M0120090J
E3M0120090J Hakkında
Wolfspeed tarafından üretilen E3M0120090J, 900V dayanıklı N-channel SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET transistörüdür. 22A sürekli dren akımı ve 155mΩ on-resistance değerleriyle yüksek güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Otomotiv endüstrisine yönelik tasarlanmış bu bileşen, elektrik araçları, güç dönüştürücüler, şarj cihazları ve traction inverter uygulamalarında yer alır. TO-263-8 D²Pak paketine sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 83W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 15V gate sürülü voltajında optimum performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 414 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok