Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
E3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
- Üretici
- Wolfspeed
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- E3M0120090D
E3M0120090D Hakkında
Wolfspeed tarafından üretilen E3M0120090D, Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim ve 23A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 155mΩ maksimum on-direnci (15A, 15V koşullarında) ile verimli güç aktarımı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, elektrikli araç şarj sistemleri ve anahtarlama güç devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunur. 97W maksimum güç kaynağında tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 97W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok