Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DN2535N3-G-P013

MOSFET N-CH 350V 120MA TO92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
DN2535N3

DN2535N3-G-P013 Hakkında

DN2535N3-G-P013, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 350V drain-source voltajı ve 120mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, TO-92 paketinde sunulmaktadır. 25Ohm maksimum RDS(on) değeri ve 0V gate-source voltajında konfigüre edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 1W maksimum güç tüketimi ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Depletion mode özelliği sayesinde 0V gate voltajında açık durum sunar. Anahtarlama devreleri, küçük sinyal amplifikasyonu ve RF uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 120mA, 0V
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok