Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH8012LK3Q-13

MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMTH8012LK3Q

DMTH8012LK3Q-13 Hakkında

DMTH8012LK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 16mOhm ile düşük on-resistance değerine sahiptir. Gate charge değeri 46nC ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması uygulamaları ve yüksek akım anahtarlaması gerektiren endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uyumluluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2051 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok