Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH8003SPS-13
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH8003SPS
DMTH8003SPS-13 Hakkında
DMTH8003SPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 3.9mΩ (10V gate geriliminde, 30A'de) çok düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Gate threshold gerilimi 4V (@250µA) olup, ±20V maksimum gate gerilimini tolere eder. 2.9W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanan cihaz, -55°C ile +175°C arasında güvenli şekilde çalışır. PowerDI5060-8 (8-PowerTDFN) paket tipi ile yüzey montajına uygundur. İçerik güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatması ve güç dönüştürme devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8952 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 (Type K) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok