Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH8001STLWQ
DMTH8001STLWQ-13 Hakkında
DMTH8001STLWQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilimi ve 270A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konaklanma kaybı sağlar. POWERDI1012-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate tahrik geriliminde çalışır ve 4V gate-source eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel invertör, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 138nC gate yükü ve 8894pF giriş kapasitesi ile sürücü devreleri hesaplama için temel parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8894 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | POWERDI1012-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok