Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH6016LK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMTH6016LK3Q

DMTH6016LK3Q-13 Hakkında

DMTH6016LK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 10.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu transistör, 17mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır. 3.2W güç saçma kapasitesi ve ±20V gate gerilimi aralığı özellikleriyle, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj türü ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok