Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH6016LFDFWQ-7R

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMTH6016LFDFWQ

DMTH6016LFDFWQ-7R Hakkında

DMTH6016LFDFWQ-7R, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 18mOhm (10V, 10A) düşük on-state direnci ile enerji kaybı minimize edilir. 6-UDFN Exposed Pad paket tipi ile kompakt PCB tasarımına olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 925 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.06W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok