Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH6016LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMTH6016

DMTH6016LFDFWQ-7 Hakkında

DMTH6016LFDFWQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, 18mOhm maksimum Rds(on) direncine sahiptir. 6-UDFN yüzey montajlı paket içinde yer alan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 15.3nC ve input capacitance 925pF'dir. 4.5V ve 10V drive voltajlarında kullanılır. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve genel dijital kontrol uygulamalarında kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 925 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.06W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok