Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH6016LFDFWQ-13

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMTH6016

DMTH6016LFDFWQ-13 Hakkında

DMTH6016LFDFWQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ve 9.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6-UDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 18mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ve 3V threshold voltajı ile standart CMOS/TTL mantık seviyelerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 925 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.06W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok