Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH6012LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6012LPSW
DMTH6012LPSW-13 Hakkında
DMTH6012LPSW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve maksimum 50.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 14mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerDI5060-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalara uyum sağlar. Surface mount montaj türü, modern PCB tasarımlarına entegre edilmesini kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta), 50.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 53.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 (Type Q) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok