Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH6010LPSW-13

MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMTH6010LPSW

DMTH6010LPSW-13 Hakkında

DMTH6010LPSW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim desteği ve 80A drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8-pin PowerTDFN paket tipi ile yüzey montajına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 8mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 41.3nC ve input capacitance 2090pF özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır ve 75W güç tüketebilir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.5A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8 (Type Q)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok