Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH6010LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6010LPSQ
DMTH6010LPSQ-13 Hakkında
DMTH6010LPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı ve yüksek verimlilik sağlar. PowerDI5060-8 yüzey montajlı paket içinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan bir komponenttir. 10V gate geriliminde 41.3nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.6W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok