Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH6010LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6010LK3Q
DMTH6010LK3Q-13 Hakkında
DMTH6010LK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 14.8A sürekli drain akımı (Ta) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 8mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 3V kapı eşik voltajı ile hızlı ve güvenilir komütasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.8A (Ta), 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok