Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH6009LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6009LK3Q
DMTH6009LK3Q-13 Hakkında
DMTH6009LK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 14.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve hassas akım yönetimi gereken sistemlerde kullanılır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı teminata alır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Surface mount teknolojisi ile üretilmiş olup, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.2A (Ta), 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1925 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok