Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH6009LK3-13

MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMTH6009LK3

DMTH6009LK3-13 Hakkında

DMTH6009LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 14.2A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C), 59A pulse akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 3.2W (Ta) veya 60W (Tc) güç tüketimine dayanıklıdır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok