Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH6005LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6005LPSQ
DMTH6005LPSQ-13 Hakkında
DMTH6005LPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim ve 100A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük on-resistance (5.5mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında verim kaybını minimize eder. PowerDI5060-8 paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi sistemleri ve DC/DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W güç dağıtımına kadir hale gelmektedir. 47.1nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.6A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2962 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok