Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH6004SCTBQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6004SCTBQ
DMTH6004SCTBQ-13 Hakkında
DMTH6004SCTBQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 3.4mΩ (100A, 10V'de) düşük RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4556 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.7W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok