Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H4M5LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMTH10H4M5LPS

DMTH10H4M5LPS-13 Hakkında

DMTH10H4M5LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltajında çalışan bu komponent, 20A sürekli akım kapasitesine (Ta @ 25°C) ve 100A'ye kadar akım taşıyabilir (Tc). 4.3mOhm on-state direncine (Rds On) sahip olması, düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. PowerDI5060-8 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4843 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok