Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H2M5STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
DMTH10H2M5STLWQ

DMTH10H2M5STLWQ-13 Hakkında

DMTH10H2M5STLWQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. 215A sürekli dren akımı kapasitesi ve 2.5mΩ (10V, 30A) on-resistance ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. SOT-363 (6-TSSOP) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 230.8W (25°C'de) maksimum güç dağıtımı sağlar. ±20V gate gerilim aralığı ile geniş uygulamalar için uygun bir tercih sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 215A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8450 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok