Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H1M7STLWQ
DMTH10H1M7STLWQ-13 Hakkında
DMTH10H1M7STLWQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 250A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. POWERDI10 (8-PowerSFN) yüzey montaj paketi ile yüksek güç yoğunluğu gerektiren devrelere entegre edilebilir. Güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9871 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | POWERDI1012-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok