Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H030LK3-13
MOSFET N-CH 100V 28A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H030LK
DMTH10H030LK3-13 Hakkında
DMTH10H030LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 28A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey monte paketi kompakt devre tasarımları için uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. Gate charge değeri 33.3nC ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1871 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok