Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H025SK3-13

MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMTH10H025SK3

DMTH10H025SK3-13 Hakkında

DMTH10H025SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim, 46.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 23mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç kaybı ve verimli ısı yönetimi sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1544 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok