Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H025LK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H025LK3Q
DMTH10H025LK3Q-13 Hakkında
DMTH10H025LK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 51.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu transistör, 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V kapı geriliminde 3V eşik gerilimi ve 21nC kapı yükü ile kontrol devreleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1477 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok