Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H025LK3-13

MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMTH10H025LK3

DMTH10H025LK3-13 Hakkında

DMTH10H025LK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 100V drain-source gerilimi ve 51.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (22mOhm @ 10V, 20A) sayesinde yüksek verimlilik gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetimi ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. 21nC gate charge ve 1477pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1477 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok