Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H015SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMTH10H015SPS

DMTH10H015SPS-13 Hakkında

DMTH10H015SPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış, PowerDI5060 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 25°C'de 8.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 14.5mΩ on-resistance değerine sahiptir. Gate şarj miktarı 30.1nC, giriş kapasitansi 2343pF'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum Gate-Source gerilimi ile güvenli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2343 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok