Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H010SPSQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H010SPSQ
DMTH10H010SPSQ-13 Hakkında
DMTH10H010SPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim derecesinde çalışan bu bileşen, 11.8A sürekli dren akımı (25°C'de) ve 8.8mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. PowerDI5060-8 paketinde sunulan komponent, güç dönüştürücüleri, sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konverterlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.8A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4468 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 166W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok