Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H010SCT
DMTH10H010SCT Hakkında
DMTH10H010SCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 187W (soğutucu referanslı) güç tüketme kapasitesi ile inverter, motor kontrol, güç kaynağı ve diğer anahtarlama devrelerinde uygundur. 10V gate sürücü gerilimi ile standart lojik seviyesi uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4468 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok