Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H010LPS
DMTH10H010LPS-13 Hakkında
DMTH10H010LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10.8A (Ta) / 98.4A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8.6mOhm (10V/13A) düşük on-direnci sayesinde enerji dönüştürme, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. PowerDI5060-8 yüzeye monte paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 4.5V-10V kapı sürüş gerilimi ve 53.7nC (10V) kapı yükü değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2592 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W, 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok