Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMTH10H010LCTB-13
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMTH10H010LCTB
DMTH10H010LCTB-13 Hakkında
DMTH10H010LCTB-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 108A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 9.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 166W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 10V gate sürme voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 108A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2592 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 166W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok