Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H010LCT

MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT Hakkında

DMTH10H010LCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 108A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 9.5mΩ on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate threshold voltajı 3.5V olup, ±20V maksimum gate voltajı toleransı vardır. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2592 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok