Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMTH10H009SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMTH10H009SPS

DMTH10H009SPS-13 Hakkında

DMTH10H009SPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltajına kadar çalışabilen bu bileşen, 16A sürekli dren akımı (Ta'da) ve 88A (Tc'de) sağlayarak güç uygulamalarında kullanılır. Düşük 8.9mOhm on-state direnci (Rds On), ısıl yönetim açısından verimli operasyon sağlar. PowerDI5060-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygunluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 88A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2085 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok