Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT8012LSS-13
MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT8012LSS
DMT8012LSS-13 Hakkında
DMT8012LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 9.7A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO (8-pin Small Outline) yüzey montaj paketinde sunulur. 16.5mOhm maksimum On-State direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 34nC @ 10V olarak belirlenmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. 10V drive voltajında optimal performans gösterir ve maksimum 1.5W güç tüketimiyle verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1949 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok