Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT8012LPS
DMT8012LPS-13 Hakkında
DMT8012LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 9A (Ta) / 65A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 17mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybını sağlar. PowerDI5060-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V ~ 10V sürüş geriliminde çalışır ve -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1949 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok