Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT8012LFG-7
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT8012LFG
DMT8012LFG-7 Hakkında
DMT8012LFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 16mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük konaksiyon kaybı sağlar. PowerDI3333-8 SMD paketinde sunulan bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 2.2W (Ta) / 30W (Tc) güç disipasyonuna sahiptir. 34nC gate charge ve 1949pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliklerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1949 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok