Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT8012LFG-13

MOSFET N-CH 80V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT8012LFG

DMT8012LFG-13 Hakkında

DMT8012LFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerDI3333-8 SMD paketinde üretilen bu komponent, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır ve 30W'a kadar güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1949 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok