Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT68M8LPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT68M8LPS
DMT68M8LPS-13 Hakkında
DMT68M8LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 14.1A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 7.9mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount PWRDI5060-8 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, solenoid sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 56.8W(Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımları için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2078 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok