Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT67M8LCGQ-7
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT67M8LCGQ
DMT67M8LCGQ-7 Hakkında
DMT67M8LCGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 16A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-pin PowerVDFN paket içinde sunulan bu bileşen, 5.7mΩ on-resistance değeri sayesinde düşük kayıpla çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Endüstriyel uygulamalar, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetim devreleri gibi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj tipi ile SMD üretim süreçlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 64.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3333-8 (Type B) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok