Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT67M8LCGQ
DMT67M8LCGQ-13 Hakkında
DMT67M8LCGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj derecesi ve 16A (Ta) / 64.6A (Tc) kontinyu dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5.7mΩ maksimum on-state direnci, düşük anahtarlama kayıpları ve verimli güç yönetimi sağlar. 8-PowerVDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve güç dağıtım uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ve 900mW güç disipasyonu kapasitesi, geniş uygulama yelpazesine uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 64.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3333-8 (Type B) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok