Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6030LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMT6030LFDF

DMT6030LFDF-13 Hakkında

DMT6030LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6.8A maksimum drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 25.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-UDFN yüzeye monte paket içinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığına sahiptir. Motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, güç dağıtım sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 10V kapı gerilimi ile tam açılma sağlanır ve 2.5V kapı eşik gerilimi ile düşük sürü gereksinimleri karşılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 639 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta), 9.62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok