Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6017LSS-13

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMT6017LSS

DMT6017LSS-13 Hakkında

DMT6017LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 9.2A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaypıp işletim sağlar. 8-SO yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve düşük input kapasitansi yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğunu gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok