Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6017LFDF-13

MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMT6017LFDF

DMT6017LFDF-13 Hakkında

DMT6017LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 65V drain-source gerilimi ve 8.1A sürekli drain akımı ile çalışma kapasitesine sahiptir. 18mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-UDFN yüzeye monte paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 800mW güç tüketimi yapabilir. ±16V gate-source gerilim toleransı ile geniş uygulama yelpazesi sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 891 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok