Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6016LSS-13

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMT6016LSS

DMT6016LSS-13 Hakkında

DMT6016LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ile 9.2A sürekli akım yeteneğine sahip bu bileşen, 18mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 17nC olup, 2.5V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve indüktif yüklerin anahtarlanması gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok