Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6016LPSW-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMT6016LPSW

DMT6016LPSW-13 Hakkında

DMT6016LPSW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ve 11.2A (Ta) / 43A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 16.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akım ve yüksek switching verimlilik sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 2.5V threshold voltajla hızlı açılıp kapanır. 8-pin PowerDI5060 paketinde sunulan bu FET, pil yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.2A (Ta), 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8 (Type UX)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok