Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6016LPS-13

MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMT6016LPS

DMT6016LPS-13 Hakkında

DMT6016LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar ve güç uygulamalarında enerji verimliliği artırır. Surface mount PowerDI5060-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 1.23W maksimum güç saçılımı toleransı bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.23W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok