Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6015LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
DMT6015LPS

DMT6015LPS-13 Hakkında

DMT6015LPS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) desteğiyle tasarlanmış olup, 25°C'de 10.6A sürekli drain akımı sağlar. 16mOhm (10V, 10A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. PowerDI5060-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 18.9nC gate yükü ve 1103pF input kapasitans değerleri hızlı komütasyon özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1103 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.16W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok