Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6013LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMT6013LFDF

DMT6013LFDF-13 Hakkında

DMT6013LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 15mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-UDFN yüzeye monte paket ile kompakt tasarımlara uygun hale gelmiştir. Gate threshold voltajı 2.3V ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Bu MOSFET, motor kontrol, DC-DC konverter, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlaması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1081 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok