Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT6012LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT6012LSS
DMT6012LSS-13 Hakkında
DMT6012LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajına ve 10.4A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 8-SO yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 11mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 22.2nC gate charge ve 1522pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 2V threshold voltajı ile kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1522 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok