Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMT6012LFV-13

MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT6012LFV

DMT6012LFV-13 Hakkında

DMT6012LFV-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 43.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerDI3333-8 paketinde sunulan transistör, düşük 12mΩ on-state direnci ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel kontrol, güç yönetimi, motor sürücüleri ve şarj yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Surface mount teknolojisiyle üretilen bileşen, kompakt elektronik tasarımlara uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1522 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (Type UX)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok