Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMT6012LFDF-13
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMT6012LFDF
DMT6012LFDF-13 Hakkında
DMT6012LFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 9.5A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji iletimini sağlar. Surface Mount 6-UDFN paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, LED kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta), 11W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok